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Nel campo
delle telecomunicazioni, le sorgenti ottiche utilizzate per la
trasmissione di segnali ottici sono principalmente dispositivi a
semiconduttore; tali dispositivi sono di due tipi: diodi emettitori di
luce (LED, light emitting diode) e diodi ad amplificazione luminosa per
emissione stimolata di radiazione (LASER, light amplification by
stimulated emission of radiation) e si basano su fenomeni di emissione
della radiazione elettromagnetica che è possibile descrivere mediante
principi elementari di meccanica quantistica.
Gli
elettroni eccitati, a partire da questo stato, possono tornare allo stato
originario attraverso l'emissione spontanea di un fotone con energia
hxfo.
Se un
fotone interagisce con un atomo con un elettrone sul livello
E2, si può avere emissione stimolata di un ulteriore fotone con
energia hxfo, che accompagna il fotone originario e la transizione
dell'atomo sul livello E1.
La
caratteristica principale dell'emissione stimolata è che il fotone
secondario ha la stessa energia e la stessa direzione (quantità di moto)
del fotone primario. Al campo elettromagnetico, dovuto ai fotoni primari,
si aggiungono i contributi dei fotoni secondari che, per quanto detto,
possono considerarsi in fase con i fotoni primari dando luogo
all'emissione coerente, caratterizzata da un'unica frequenza di emissione.
L'emissione stimolata viene amplificata e convogliata all'esterno, nelle
sorgenti LASER, ottenendo un alto grado di coerenza temporale
(teoricamente), ovvero un raggio monocromatico. I fotoni che si creano per
emissione spontanea hanno direzioni di propagazione aleatorie e si
ricombinano con relazioni arbitrarie fornendo una emissione incoerente
ovvero caratterizzata da uno spettro di emissione ampio (tipico del
LED).
Per
ottenere una sorgente luminosa in cui è predominante il fenomeno
dell'emissione stimolata, ovvero con elevata coerenza temporale, si devono
verificare due condizioni:
In E3 gli atomi restano per un tempo breve decadendo
velocemente, con un decadimento non radiativo, sul livello
E2 (metastabile perchè il tempo di permanenza è
elevato), consentendo di avere tempo sufficiente affinchè vi sia un
accumulo degli atomi su E2 tale da realizzare l'inversione di popolazione. Tra
i livelli E2 ed E1 si realizza l'emissione stimolata, come già
descritto per il sistema a due livelli, è necessario, tuttavia, prendere
in considerazione schemi a quattro livelli (LASER a semiconduttore),
almeno in alcuni casi, perchè in essi l'inversione si può ottenere più
semplicemente con meno energia di pompaggio tra i due livelli
intermedi.
In questi sistemi, infatti, si ha un livello base
E0 (stabile) minore di
E1 (instabile) a partire dal quale gli atomi vengono
pompati direttamente su E3(instabile): si ha, quindi, prima la transizione non
radiativa da E3 ad E2 (metastabile), poi la transizione radiativa da
E2 ad E1ed infine gli atomi passano rapidamente su
E0 da E1
Il LASER nasce come amplificatore di segnali ottici
secondo il fenomeno dell'emissione stimolata, in quanto il mezzo sede di
quest'ultimo (amplificazione ottica) si può caratterizzare dal guadagno
ottico per unità di lunghezza g, il quale varia al variare della lunghezza
d'onda ed è caratteristico del materiale e della modalità di pompaggio. Il
LASER è però usato prevalentemente come sorgente luminosa, in cui viene
prodotto autonomamente un segnale ad una fissata
Il segnale all'interno della cavità subisce
riflessioni multiple e viene contestualmente amplificato in modo da
autosostenere una oscillazione (onda stazionaria). Se le due facce sono
parzialmente riflettenti è possibile estrarre una parte dell'emissione
interna, purché la perdita di potenza non sia tale da disinnescare
l'oscillazione, per accoppiarla esternamente. Quando il guadagno ottico,
all'interno del materiale, bilancia esattamente le perdite interne per
assorbimento e la parte di segnale trasmesso all'esterno, si ottiene la
condizione di stabilità dell'oscillazione e, quindi, quando il pompaggio è
sufficiente a ottenere l'inversione della popolazione, la cavità comincia
ad oscillare spontaneamente ed ad autosostenersi. È intuibile che il
segnale, durante le ripetute propagazioni nel materiale, deve poter
mantenere la caratteristica di coerenza temporale dell'emissione
stimolata, per cui l'oscillazione si può avere solo quando la distanza L
tra le facce è in relazione ben precisa con la lunghezza d'onda
La struttura di principio è mostrata di
seguito:
Per descrivere il funzionamento del meccanismo di
pompaggio per ottenere l'inversione della popolazione, partiamo dal
diagramma degli stati energetici, funzione del numero d'onda, per un
semiconduttore intrinseco:
Per T = 0 °K, in assenza di polarizzazione esterna,
la banda di valenza è piena e quella di conduzione è, invece, vuota. La
distanza tra le due bande è, ovviamente, l'energia di gap. Se il
semiconduttore viene polarizzato con una forte corrente di conduzione, in
modo da avere forte iniezione di portatori, la banda di conduzione viene
parzialmente riempita mentre quella di valenza viene parzialmente svuotata
(si riempie di lacune). Ciò avviene fino al raggiungimento dei
quasi-livelli di Fermi
Efc ed
Efv nella situazione di
quasi-equilibrio, mostrato nella figura precedente. Nella situazione
descritta, un fotone con energia pari a
Eg =
hxfo, non può venire assorbito in
quanto la minima energia necessaria per l'assorbimento è
Efc -
Efv >
Eg. L'emissione stimolata è, però,
nella condizione di prevalere sull'assorbimento perchè, se
hxfo <
Efc -
Efv, il fotone può ugualmente
stimolare una transazione dalla banda di conduzione alla banda di valenza
con emissione di un fotone avente energia
Eg. Affinché ciò si verifichi,
deve allora essere verificata la seguente relazione:
Eg< hfo < Efc-Efv cosicché il mezzo può essere sede di guadagno ottico.
Sostanzialmente si è ottenuto un sistema a quattro livelli (con
E0 =
Efv,
E3 =
Efc) grazie al meccasnismo di
pompaggio adottato. Quanto appena descritto, valido per T = 0 °K e
semiconduttore intrinseco, è applicabile, almeno approssimativamente,
anche per un semiconduttore drogato con T diversa dallo zero assoluto. Se
la temperatura non è allo zero assoluto ed il semiconduttore è drogato, le
curve della probabilità di occupazione degli stati sono più stondate e,
quindi, la condizione di inversione della popolazione (equazione
precedente) resta valida ma il guadagno ottico dipende anche dal drogaggio
e dalla corrente I di iniezione. La condizione di inversione di
popolazione si può assicurare solo con un forte drogaggio sia del
materiale p che di quello n che costituiscono la giunzione p-n,
contrariamente al LED nel quale l'inversione dipende dalla sola corrente
anche se, per ottenere un dispositivo efficiente, si opera ancora per
confinamento dell'emissione nella zona di svuotamento. Si parla in queste
condizioni di giunzione degenere in cui i livelli di Fermi sono così
alterati dal drogaggio da risultare all'interno della banda di valenza
(parte p) e della banda di conduzione (parte n), distando più di Eg come
previsto dalla condizione precedente.
Per
lo stesso tipo di LASER (InGaAsP a 1.3 um) si ricavano le caratteristiche
luce-corrente (L-I, dove L è riportato come potenza ottica esterna) della
figura seguente.
Da
queste caratteristiche si vede la dipendenza di Pe dalla corrente I di
conduzione ed in particolare, è evidente il fenomeno della soglia e la
forte dipendenza dalla temperatura a cui si trova il LASER.
I
diodi laser, nel settore delle telecomunicazioni, sono utilizzati su
particolari e costosissimi collegamenti sui quali è indispensabile
trasmettere dati a velocità elevatissima (tipicamente 10 Gb/s) con la più
grande lunghezza (canale ottico) della migliore fibra ottica
realizzabile.
Nel
diodo laser entra un segnale elettrico ed esce, su apposito connettore, un
segnale ottico modulato (1300 nm o 1550 nm). Questa semplice architettura,
che funziona anche con normali diodi led, ma a basse velocità di
commutazione (< 30 Mb/s) si è evoluta per risolvere parecchi problemi
che si creano con l'aumento della velocità di accensione e spegnimento del
laser. Come per tutti i sistemi di telecomunicazioni, si è sempre
perseguita la ricerca della più alta velocità di trasmissione (bit rate)
con la maggiore lunghezza di collegamento possibile, in pratica il valore
del prodotto banda B per lunghezza L (Hz×km). |